128层QLC闪存芯片已研制成功

责任编辑。陈微竹0371 2020-04-13 19:57:17  阅读:9441

4月13日音讯,长江贮存在官网宣告其128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研制成功,类型为X2-6070,而且现在该芯片现已在多家控制器厂商的SSD等终端贮存产品上经过验证。

长江存储表明,X2-6070现在是行业界首款128层QLC标准的3D NAND闪存,具有现在业界已知类型产品傍边单位面积更高的贮存密度。在传输速度以及单颗NAND闪存芯片容量方面也相同做到了行业界的顶尖水准。

依据官方给出的音讯来看,每一颗X2-6070所供给的闪存芯片都具有1.33TB的贮存容量,而且在IO读写功能方面,X2-6070也能够在1.2V Vccq电压下完成近1.6Gbps的数据传输速率,这样的参数质量能够说在现在的闪存芯片商场中适当具有竞争力。

而且长江贮存官方也表明,公司只用了短短的三年的时刻,便完成了从32层到64层再到128层之间的跨过,而且该芯片也将会在2020年年末至2021年中旬连续量产,方针将到达月产能10万片。

而关于产品而言,长江贮存表明,将装有长江贮存QLC 3D NAND的SATA固态硬盘作为体系盘装装进Windows 10体系进行开机测验,开机速度现已做到了12-15秒的水准,必须得说在工程样品的阶段仍是一个适当的好的成果,而在后续的优化中,功能提高自然是无需多疑的。

而这个数据假如真的事实,那么信任在接下来的闪存商场内,长江贮存的这款芯片产品也将会被连续加入到各家SSD产品或是其他贮存设备中,而且现在供应链音讯泄漏,这款闪存产品现已送样,在接下来不久的时刻内就会和咱们碰头,那么我们关于这款新的闪存芯片有怎样的观点呢,都能够在下方谈论区中说出你的主意。

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